Infineon расширяет линейку силовых модулей XHP 2, добавляя варианты на основе MOSFET CoolSiC с напряжением 2300 В для высоковольтных энергетических систем. Модули SiC поддерживают напряжение постоянного тока до 1500 В, что отражает переход к более высоким системным напряжениям в инфраструктуре возобновляемой энергетики.
Для читателей eeNews Europe это событие актуально, поскольку оно затрагивает вопросы эффективности, удельной мощности и тепловых характеристик крупномасштабных преобразователей, используемых в ветроэнергетике, фотоэлектрических системах и системах хранения энергии.
Платформа модулей SiC с более высоким напряжением
Модули XHP 2 CoolSiC MOSFET разработаны для снижения потерь при переключении и проводимости по сравнению с кремниевыми аналогами. Это может помочь разработчикам инверторов повысить эффективность и удельную мощность, или увеличить частоту переключения для снижения гармоник и размеров системы.
Infineon предлагает модули с сопротивлением в открытом состоянии от 1 мОм до 2 мОм и напряжением изоляции 4 кВ или 6 кВ. Корпус XHP 2 также поддерживает симметричное переключение, что может упростить параллельное подключение в крупных преобразователях мощности.
В центре внимания — преобразователи возобновляемой энергии
Модули используют технологию межсоединений Infineon .XT, предназначенную для повышения надежности и увеличения срока службы. Также доступны варианты с предварительно нанесенным термоинтерфейсным материалом, что может снизить сложность сборки и обеспечить более стабильное тепловое поведение.
Infineon заявляет, что устройства продемонстрировали результаты на системном уровне в сценариях использования возобновляемой энергии. В демонстрационной системе ветроэнергетики модули достигли удельной мощности 300 кВт/л. Испытания в системах хранения энергии показали потери в полупроводниках менее 0,7% от выходной мощности.