Компания Infineon Technologies расширила ассортимент силовых МОП-транзисторов в корпусах PQFN 2×2 мм².
В корпусах PQFN силовые МОП-транзисторы OptiMOS 6 40 В и OptiMOS 5 25 В и 30 В имеют тепловое сопротивление (R thJC, max) 3,2 К/Вт при сопротивлении включения R DS(on) до 2,4 мОм.

Малая площадь дискретных силовых МОП-транзисторов играет решающую роль в достижении экономии места, снижении стоимости и простоте проектирования приложений. Кроме того, более высокая плотность мощности может обеспечить гибкость маршрутизации и уменьшить общий размер системы.

Новые приборы предназначены для синхронного выпрямления в импульсных источниках питания (SMPS) для серверов, телекоммуникаций, портативных и беспроводных зарядных устройств. Среди дополнительных применений - регуляторы скорости вращения небольших бесщеточных двигателей в беспилотных летательных аппаратах.

Выполненные в корпусе PQFN размером 2×2 мм², силовые ключи OptiMOS обеспечивают улучшенный форм-фактор системы с более компактными и гибкими геометрическими контурами для приложений конечных пользователей. МОП-транзисторы способствуют надежному проектированию систем с меньшей потребностью в распараллеливании, что значительно уменьшает занимаемую площадь и стоимость системы.

МОП-транзистор на 40 В ISK057N04LM6 имеет R DS(on) 5,7 мОм, в то время как у 25-В ISK024NE2LM5 он составляет 2,4 мОм, а у 30-В ISK036N03LM5 - 3,6 мОм.