Microchip расширяет ассортимент последовательной памяти SRAM более быстрыми и емкими устройствами

12 апреля 2024 г.
Microchip расширяет ассортимент последовательной памяти SRAM более быстрыми и емкими устройствами

Чтобы удовлетворить общую потребность клиентов в более емкой и быстрой SRAM, компания Microchip Technology расширила линейку последовательной SRAM-памяти, добавив в нее устройства большей плотности (до 4 Мб) и увеличив скорость интерфейса Serial Peripheral Interface/Serial Quad I/O™ Interface (SPI/SQI™) до 143 МГц.

Устройства последовательной SRAM объемом 2 Мб и 4 Мб разработаны как более дешевая альтернатива традиционным параллельным SRAM и включают в себя опциональную схему переключения на резервное питание от батареи, чтобы сохранять данные при потере питания.

В отличие от параллельной оперативной памяти, которая требует больших корпусов и не менее 26-35 входов/выходов микроконтроллера (MCU) для взаимодействия, устройства последовательной SRAM от Microchip поставляются в более дешевом 8-контактном корпусе и используют высокоскоростную шину связи SPI/SQI, которая требует всего 4-6 выводов ввода/вывода MCU для легкой интеграции. Это снижает потребность в более дорогом MCU с большим количеством выводов и помогает минимизировать общую площадь платы.

Для устранения наиболее распространенного недостатка последовательной SRAM - параллельная память быстрее последовательной - в устройствах последовательной SRAM объемом 2 и 4 Мб скорость шины увеличена до 143 МГц с опциональным четырехканальным SPI (4 бита за такт), что значительно сокращает разрыв в скорости между ними.

"Последовательная память SRAM - популярное решение для инженеров, которым требуется больше оперативной памяти, чем доступно на борту их MCU, но которые хотят снизить стоимость и уменьшить размер платы", - говорит Джефф Лизер (Jeff Leasure), директор подразделения Microchip по производству продуктов памяти. "Последовательные устройства Microchip объемом 2 Мб и 4 Мб призваны заменить дорогостоящую параллельную SRAM простой и экономичной альтернативой".

Малогабаритные, маломощные и высокопроизводительные последовательные устройства SRAM обладают неограниченной долговечностью и нулевым временем записи, что делает их отличным выбором для приложений, связанных с непрерывной передачей данных, буферизацией, регистрацией данных, измерением и другими математическими и информационными функциями. Эти устройства имеют плотность от 64 Кбит до 4 Мб и поддерживают режимы шин SPI, SDI и SQI.

Перейти к списку новостей