Новые GaN 600V транзисторы CoolGaN от Infineon

17 июня 2019 г.
Новые GaN 600V транзисторы CoolGaN от Infineon

Серия CoolGaN 600 В от Infineon – это транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT), реализованные в соответствии со специально разработанным для GaN процессом квалификации, который кардинально отличен от квалификации других продуктов GaN. Транзисторы CoolGaN 600 В предназначены для работы в топологиях с жестким переключением, например, в корректорах коэффициента мощности (CCM PFC), в полумостовых силовых каскадах LLC и в контроллерах Solar Boost для преобразователей солнечной энергии, а также в беспроводных зарядных устройствах и в серверах.

Пример реализации безмостового ККМ на базе CoolGaN

Пример реализации безмостового ККМ на базе CoolGaN

Результатом применения CoolGaN для PFC является рекордный КПД (более 99%) с возможностью экономии для спецификации конечного изделия.

Использование IGO60R070D1 с сопротивлением 70 мОм в 2.5 кВт PFC, частота 65 кГц

Использование IGO60R070D1 с сопротивлением 70 мОм в 2.5 кВт PFC, частота 65 кГц

Ключевые особенности:

  • Напряжение «сток-исток»: 600 В;
  • Нормально закрытые GaN-транзисторы;
  • Ультрабыстрое переключение;
  • Нет заряда обратного восстановления;
  • Малый заряд затвора, малая выходная емкость;
  • Высокая надежность коммутации;
  • Отлично подходит для жестких и мягких топологий коммутации;
  • Корпус для поверхностного монтажа позволяет достичь максимальных результатов для технологии CoolGaN;
  • Квалифицирован для промышленных применений в соответствии со стандартами JEDEC (JESD47 и JESD22).

Варианты 600 В CoolGaN транзисторов

Сопротивление открытого канала

DSO-20-85 Bottom-side cooling

DSO-20-87 Top-side cooling

HSOF-8-3 (безвыводной)

DFN 8×8

35 мОм

IGO60R035D1

IGOT60R035D1

IGT60R035D1

 

70 мОм

IGO60R070D1

IGOT60R070D1

IGT60R070D1

IGLD60R070D1

190 мОм

   

IGT60R190D1S

IGLD60R190D1

   

IGT60R190D1

 

340 мОм

     

IGLD60R340D1

 

 

Перейти к списку новостей